三星将为特斯拉代工下一代FSD芯片 3nm制程良率提升

【CNMO新闻】韩国经济日报报导指称，三星将可能与特斯拉合作生产下一代全自动驾驶芯片。此前有相关报道称，三星的3nm制程良率已经大幅提高至60%。

三星会长李在镕于今年5月与特斯拉CEO马斯克会谈后，有消息指称双方合作关系将会加深，而相关消息表示三星有可能加入生产特斯拉下一代自动驾驶晶片，借此对应Level 5级别全自动驾驶功能。

在此之前，特斯拉仅与台积电合作生产自动驾驶晶片，但接下来有可能同时与台积电、三星合作。

马斯克

此外，相关消息也指称三星目前已经持续提高其3nm制程良率，有可能借此吸引英伟达、高通等业者采用。三星接下来预计在2025年推进2nm级别的SF2制程技术，并且计划在2027年推进至1.4nm级别的SF1.4制程技术。

不过，在目前主流使用的4nm制程部分，台积电的良率达80%，而三星的4nm制程良率虽然提高至75%，但仍有一些差距存在。

此前，有报道称三星3nm芯片制造良率已经超越台积电。报道称，三星代工其3nm芯片制造工艺的良率为60%。相比之下，台积电的3nm芯片良率约为55%。这意味着三星终于在超先进芯片制造技术上战胜了台积电。由于台积电在3nm领域落后于三星代工，因此三星有可能赢回在4nm和5nm工艺方面输给台积电的客户。

据称，英伟达和高通对三星代工的第二代3nm（SF3）工艺感兴趣，因为台积电的大部分芯片产品产能都被苹果预订了。此外，台积电日本和美国工厂生产的芯片成本预计将比其中国台湾芯片工厂分别高出15%和30%。因此，更高的成本和更低的产能相结合可能会让英伟达、高通和其他公司考虑三星代工的3nm芯片制造工艺。

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（本文来自于手机中国）